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 氮化镓比一般材料有高10倍的功率密度,而且有更高的工作电压(减少了阻抗变换损耗),更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出。氮化镓无论是在硅基、碳化硅衬底甚至是金刚石衬底的每个应用都表现出色!
  氮化镓
  硅基氮化嫁:硅基氮化镓器件工艺能量密度高、可靠性高,晶圆可以做得很大,目前在8英寸,未来可以做到10英寸、12英寸,晶圆的长度可以拉长至2米。虽然它比碳化硅衬底氮化镓良率低,不过它的优势是可以使用全球低成本、大尺寸CMOS硅晶圆和大量射频硅代工厂。
 
  碳化硅衬底氮化镓:采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好,有利于做成面积较大的大功率器件。这是射频氮化镓的“高端”版本,SiC衬底氮化镓可以提供最高功率级别的氮化镓产品,可提供其他出色特性,可确保其在最苛刻的环境下使用。
 
  不过碳化硅基氮化镓器件相对于硅衬底而言,碳化硅制造成本较高,实现其商业化还需要降低相应的成本。

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