e世博网投

  在功率系统的应用中,很多时候负载属于感性负载(例如电机),另外系统中也不可避免的会存在寄生电感。这些感性元件能够对功率系统中的电磁能进行储存并在功率开关关断时产生强大的续流作用,这会使功率开关上承受极大电压而很容易失效损毁。分立或集成续流二极管等技术的提出就是为了解决这一常见问题,但是分立器件的引入无疑极大地增加了系统整体的成本,除此之外,GaN异质结横向开关也很难与续流二极管有效地集成,简单地将横向二极管与异质结开关集成的做法不仅会增加芯片面积,也会增加工艺难度以及引入其他诸如稳定性变差的负面问题。
不同SFG深度下SFG-FET反向续流特性  
图1 不同SFG深度下SFG-FET反向续流特性
  而本文所提出的SG-TFET则自然地集成了反向续流功能。当器件截止时,整个器件可以等效地看做一个具有浅场板的肖特基势垒二极管。这个二极管的阳极即是肖特基源极而阴极即漏极。当阳极施加高压时,器件作为SBD进行导通,其电流电压关系如图1所示。由于浅场板集成栅对下方沟道的影响十分微弱,在一定范围内SFG的深度对反向续流能力影响很小,这对于批量生产SFG-FET器件的稳定性有重要意义。图2所示的是不同源极金属功函数下SFG-FET的反向续流特性,这与传统的SBD特性相近。
不同源极金属功函数的SFG-FET反向续流特性  
图2 不同源极金属功函数的SFG-FET反向续流特性

相关阅读